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DRAM高速老化测试系统(可靠性测试专用)是一种针对DRAM芯片的高速、宽温度范围、大容量的动态老化测试解决方案,该解决方案解决了DRAM可靠性和车规级器件的长时间、宽温测试的难题。最大支持24个老化单板并行测试,测试速度最高达到100Mhz/200Mbps,同时可以支持RDBI(Repair During Burn In)功能,有效提升良率和效率。
DRAM高速老化测试系统(可靠性测试专用)配套软件包括Burn-In测试软件和工程调试软件。其中,Burn-In测试软件支持测试DUT选择,测试程序加载,及测试结果展示和分析等功能;工程调试软件包括Waveploter、Pattern Debug工具软件、JHEditor、Program集成开发工具软件,支持mainprogram和pattern program等编辑及编译调试。
本设备主要应用于半导体行业,面向Memory BI测试领域,满足DRAM存储芯片客户和第三方封测厂的测试需求。
· 支持多种DUT类型
测试器件包括DDR3、DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等,测试速率高达100Mhz/200Mbps。
· 并行测试效率高
支持24块Burn-in Board 并行测试,每块Burn-in Board最大支持384 DUT。
· 四腔室独立宽温测试
整机包含四腔室,且温度独立可控,支持温度范围为-50°C~150°C,可持续-40℃低温运行500h。
· 支持RDBI(Repair During Burn In)功能
能够将老化过程中出现的Fail芯片进行修复,有效提升良率和效率。
· 高质量信号传输
通过拓扑设计结构的优化及采用高速高密连接器方案,解决高密度高速信号传输问题,最大限度保证了信号质量。
· 匀温测试
整机采用创新型隔热和风道技术,温度均匀性达±3℃。
在测试系统基础上,通过更换Burn-in Board可以支持DDR3/DDR4/DDR5/LPDDR4/LPDDR5等芯片的测试,可与Handler灵活搭配,实现芯片Load/Unload功能,客户可根据需要自行购买或委托我司配置。
产品配件表
相关解决方案
测试系统只需更换不同类型的Burn-in Board,便可以测试不同类型的芯片;如:DDR3/DDR4/LPDDR4/DDR5/LPDDR5等。
本产品已成功应用于DRAM芯片的BI测试。
本设备测试对象主要包括DDR3/DDR4/DDR5/LPDDR4/LPDDR5等DRAM存储类器件,未来可向NAND Flash器件测试领域扩展。
· 原材料品质保障:关键物料选用一线品牌高端材料和半导体领域高端SMT工艺,且经过可靠性认证。
· 7×24h响应:本土AE/FAE团队,7*24H电话及现场响应,风险及时排查,保内免费更换。
· 定制化服务:根据客户需求,可提供DUT测试应用的定制开发、全流程定制化BI测试解决方案。